植物通常会遇到称为干旱胁迫的缺水胁迫。 它比其他任何环境因素都更加限制了植物的生长和分布。 提出了一种模拟受缺水影响的植物生长的方法。 引入了缺水程度指数,该指标将缺水强度,持续时间和植物抗性综合在一
金属/半导体基光子晶体有重大的国防应用价值,其生长技术的核心是设计合适的方法将聚甲基丙烯酯甲酯(PMMA)微球组装成光子晶体。在目前垂直沉积法的基础上,通过控制甲基丙烯酸甲酯(MMA)和偶氮引发剂的反
张红娣,刘彩池(河北工业大学半导体材料研究所,天津 300130)摘要:对国内外在重掺硅中氧沉淀方面的研究做了综合阐述,对氧沉淀研究现状和存在问题进行了讨同时就热处理,掺杂剂对氧沉淀的影响做了浅析,使
目前,蓝宝石虽然稳坐衬底材料的龙头地位,但随着产业的不断发展,竞争日趋激烈,基于蓝宝石衬底的技术发展变缓,再加上其成本高
采用射频磁控反应溅射工艺,在Si(400)衬底上制备了高c轴取向的AlN薄膜。用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜特征。研究了不同的Ar/N2比、衬底偏压、工作压强对AlN薄膜c轴择优取向的影响。研究了
基于蓝宝石衬底的硅纳米线氨气传感器,周畅,胡礼中,采用化学气相输运方法在蓝宝石衬底上制备了高密度的硅纳米线,通过扫描电子显微镜(SEM)对其形貌进行了表征。实验结果表明这种硅
为了增加锂离子二次电池负极的容量,我们制备了含硅碳微球。 通过热分解嵌入在包含通过各种方法表征的Si-纳米颗粒的多孔碳颗粒中的六苯基二硅烷,获得目标化合物。 当使用具有获得的材料作为负极的电池评估充电
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提出了包括隔离层和成核层的双重AlN缓冲层结构,以通过金属有机化学气相沉积来改善蓝宝石衬底上的AlN膜的生长。 该方法旨在减弱负氮化作用,并改善初始生长阶段的侧向生长条件。 发现适当增加成核层的厚度有
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