采用分子束外延法分别在650-920°C的Si(110)和920°C的Si(111)衬底表面生长出铁的硅化物纳米结构,并主要分析了920°C高温下纳米结构的形貌、组成相及其与Si衬底的取向关系.扫描隧道显微镜(STM)研究表明,920°C高温下,Si(110)衬底上生长的铁硅化合物完全以纳米线的形式存在,且其尺寸远大于650°C低温下外延生长的纳米线尺寸;Si(111)衬底上生长出三维岛和薄膜两种形貌的铁硅化合物,其中三维岛具有金属特性且直径约300 nm、高约155 nm,薄膜厚度约2 nm.电子背散射衍射研究表明920°C高温下Si(110)衬底上生长的纳米线仅以β-FeSi2的形式存在,且β-FeS...