在Si_xGe_(1 x)C_(0.02)衬底上直接生长石墨烯

引言 1993年世界上第一只GaN基蓝色LED问世以来,LED制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原

SiC纳米线多衬底依赖生长研究，庞春雷，崔浩，以SiO粉末和石墨作为硅源和碳源，利用立式高频感应炉在Ar气流的引导下，我们成功合成出了SiC/SiO2纳米线膜。通过改变实验条件，这种�

主要描述C#的一些常用属性，对开发这很有帮助。

报道了6H-SiC衬底外延生长的石墨烯作为可饱和吸收体,环形腔结构的全正色散被动锁模掺镱光纤激光器。在注入抽运功率为250 mW时,得到稳定的重复频率为1.05 MHz的自锁模脉冲,平均输出功率为6

5x4”多晶片生产MOCVD系统在4” Si衬底上的AlGaN / GaN HEMT具有良好的重复性

基于石墨烯低压化学气相沉积技术, 通过调控甲烷流量对比研究了传统生长腔和气相捕获腔中石墨烯在铜箔衬底上的形核生长特点。结果表明, 与传统 生长腔相比, 气相捕获腔能够将石墨烯的形核密度降低3个数量级,

不需要连接EXCEL，直接由VB.NET生成EXCEL文件

表结构直接生成javabean（eclipse插件）

PHP中直接生成PDF的类， 用法： require_once("Fpdf/chinese.php"); $pdf = new PDF_Chinese('P', 'mm', 'A4'); // P_纵

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