SiC纳米线多衬底依赖生长研究

银纳米线网是用于光电子设备的铟锡氧化物(ITO)透明电极的有希望的替代品。 在本文中,研究了银纳米线(Ag NWs)的有效光散射。 与商用FTO和ITO相比,我们证明了Ag纳米线在所有波长区域均表现出

通过第一性原理系统地研究了空位缺陷对硅纳米线掺杂的影响。 探索了直径为2.3 nm的H钝化硅纳米线中空位和空位硼(空位-磷)配合物的原子结构和电子性质。 几何优化的结果表明,中心空位可以稳定存在,而纳

搭建采用光纤锥近场激发银纳米线表面等离子体激元的光路,并在氧化铟锡(ITO)衬底上实现银纳米线表面等离子体激元突破衍射极限在亚波长领域的光波导。通过R 轴旋转平移台,改变光纤锥与银纳米线平行方向上的角

金属纳米颗粒阵列与一维纳米线耦合的超晶格，孙杰，阎结昀，主要研究了一维金属纳米球阵列在光场的作用下与纳米线中电子的耦合。经过计算发现,按周期放置的金属纳米球阵列在光的作用下会在�

在理想情况下,单光子是由量子点单光子源发光产生的。量子点单光子发射器件的制作主要利用自组织生长方法在图形衬底上结合光学微腔结构实现。采用金字塔形衬底制备量子点可实现量子点的高定位生长, 该方法易于制备

利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2 inch (5.08 cm) Si(111)图形衬底上生长了GaN外延薄膜,在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层,研究了AlN插入

基于WMPCVD的碳纳米管定向生长的研究，张铁军，陈泽祥，本文对碳纳米管(carbonnanotube,CNT)的制备、性质及发展趋势进行了综述。研究了利用微波等离子体化学气相沉积（microwave

系统研究了金纳米结构在CTAB溶液中的生长过程，采用USB2000 光谱仪监控溶液400-1000nm的吸光度，从而获得金纳米棒的生长速率，浓

GaAs / InGaAs / GaAs纳米线核-多壳量子阱异质结构的制备和光学性质

基于复合纳米压印技术的SERS衬底的制备，杨涛，傅欣欣，本文描述了一种高效，快捷制备高质量的表面增强拉曼散射（SERS）衬底的方法。采用复合纳米压印技术可以从多孔氧化铝（AAO）模板复�