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在电路中,不管晶体管是工作在直流工作状态还是交流工作状态,正确选择晶体管的直流参数是很重要的。也就是说,应根据工作环境中直流电路的工作状态要求,对晶体管进行最基础的选择,确定晶体管的工作电压,工作电流
本文主要简单介绍了单极型晶体管和双极型晶体管
采用脉冲激光沉积方法在p-Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,分别在500 °C、600 °C和700 °C下真空退火,采用X射线衍射仪研究了退火对ZnO薄膜晶体结构的影响,并测量了ZnO的面电阻和
采用电子束沉积法在镁掺杂铌酸锂基底上镀制了多波段增透膜, 透射波段分别为1.064 μm, 1.4~1.6 μm和3.5~4.3 μm, 测量了薄膜在1064 nm多脉冲辐照下的损伤阈值, 以及无薄膜
在Si/SiO2衬底上使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)制备器件介电层的修饰层,改善介电层界面质量并诱导有源层生长,从而提高有源层的结晶程度。通过 真空蒸镀法生长并五苯/红荧烯双层结构有源层,制备有机薄
用有机半导体并五苯作为有源层,聚四氟乙烯作为绝缘层,采用全蒸镀方式在真空室一次性制备了正装结构的有机薄膜场效应晶体管(OTFT)。薄的有机绝缘层使得器件工作在低电压下,有机薄膜场效应晶体管易于与显示像
生长在蓝宝石C面上的ZnO薄膜是通过等离子体金属有机物化学汽相淀积方法获得的,由其X光衍射得知,生长过程中分段退火和最后退火在薄膜中分别引入了张应力和压应力.通过对样品光致发光光谱研究表明:分段退火样
退火温度对VOx薄膜的结构、形貌和电化学性能的影响，尹嘉琳，张浩，以乙酰丙酮氧钒（C10H14O5V）、无水柠檬酸（C6H8O7）、乙二醇（C2H6O2）和水为原料，甲醇作溶剂，通过溶胶凝胶法在不同的
具有$ pi $的双栅极光敏a-Si:H薄膜晶体管-形状用于大面积成像和传感的通道
内容:1 最小面积晶体管版图 1.1 版图及版图分析 1.2 最小面积晶体管版图在集成电路版图设计中的意义 2 集成电路制造中常用的晶体管版图图形 2.1 常用的晶体管版图 2.2 与常用的晶体管各版
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