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Au掺杂ZnO薄膜中Au的化学价态及其对薄膜电学和光学性质的影响，徐莹，姚斌，利用射频磁控溅射和后热处理的方法制备了Au掺杂的ZnO (ZnO:Au) 薄膜。研究发现在室温条件下生长的ZnO:Au薄膜
热退火对离子注入制备Si纳米晶发光性能的影响，周小东，任峰，本文采用离子注入法将Si离子注入到非晶SiO2介质中，并结合热退火处理制备了Si纳米晶。系统研究了热退火条件对Si纳米晶光致发光（PL）
厚度变化对SmCo薄膜磁性和结构的影响，李宁，李明华，利用磁控溅射制备了Sm含量为18.0at%的不同厚度的SmCo薄膜，并对其进行了退火处理。实验结果表明当薄膜厚度为30nm时，退磁过程体现软�
不同沉积时间对Ti片上制备ZnO薄膜微结构、光学性能及润湿性的影响，张苗，吴明在，在化学抛光的钛片上用阴极沉积法沉积了ZnO纳米棒阵列，通过改变沉积时间控制ZnO纳米棒阵列的生长。扫描电镜结果显示，所
ZnO纳米结构薄膜的水热法制备，柯健，戴英，低温条件下，采用水热法，在预先镀有ZnO晶粒层的玻璃基板上制备出ZnO纳米棒阵列，在Al基板上制备出ZnO片状纳米结构薄膜。并通过X射线
通过射频磁控溅射在硅(1 0 0)衬底上沉积多晶Zn(1-x)Eu(x)O(x = 0,0.02,0.05)薄膜。 研究了薄膜的结构,光学和磁性。 X射线衍射和光致发光光谱的结果都表明Eu(3+)离子
Ni含量及退火温度对Ni掺杂In2O3稀磁半导体薄膜的结构和性能的影响，魏琳琳，孙志刚，采用溶胶凝胶法制备了Ni掺杂In2O3稀磁半导体薄膜。研究表明Ni在In2O3中的溶解度约为10%，在溶解度范围
高温超导氧化物YBCO 外延薄膜在掺入少量锆酸钡(BaZrO3 ,BZO) 后,其超导性能会得到较大幅度的提高。研究了不同衬底温度对掺BZO 的YBCO 薄膜的外延特性及超导性能的影响。以固相反应法制
添加剂对PVDF中空纤维超滤膜结构及性能的影响研究，王磊，王旭东，在PVDF铸膜液中添加PVP、LiCl和SMA，采用相转化法制备了PVDF中空纤维共混超滤膜，并通过扫描电镜表征、膜通量和截留率测试等
退火处理对埋有碳纳米点的a-SiCx:H薄膜的微观结构和光学性能的影响
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