Ni含量及退火温度对Ni掺杂In2O3稀磁半导体薄膜的结构和性能的影响

退火温度对Aurivillius Bi5Ti3FeO15多晶膜结构,铁电和磁性能的影响

NI 半导体测试解决方案之一rar,【本资源分为两卷，全部下载后方可观看】本文介绍 NI 2018 半导体测试解决方案。

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CaCl2掺杂对Ca3Co4O9陶瓷热电性能影响，汤凯，朱教群，本实验采用CaCl2掺杂固相烧结方法制备了Ca3Co4O9热电材料，通过X射线衍射、扫描电镜等表征手段，研究了掺杂对其热电性能和微观结构

薄厚对GZO透明导电薄膜结构和光电性能的影响，张传瑜，王绪本，本文主要是采用射频磁控溅射的方法在玻璃衬底上沉积掺镓氧化锌(GZO)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪（XRD）、紫外可见分光光度计、Hal

沉积气压对非晶碳薄膜结构和性能的影响,王成兵,,采用直流-脉冲等离子体化学气相沉积技术,以甲烷和氢气为前驱气源,制备了氢化非晶碳薄膜(a-C:H)。考察了沉积气压(6, 8, 11, 15, 20 P

制备工艺对BaO-TiO2-B2O3-SiO2体系LTCC性能和微观结构的影响，崔学民，叶少峰，本文研究了溶胶-凝胶法、高温熔融法、预煅烧法分别制备的BaO-TiO2-B2O3-SiO2体系LTCC的

甲醛是室内空气污染的主要气体,严重危害人的身体健康.SnO2 是目前在气体传感器上应用较多的.气敏材料.通过一步水热法成功制备了不同Ni掺杂SnO2 立方体.采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱

熔纺Ni-Mn-Ga铁磁薄带的马氏体结构和磁畴转变

通过化学还原法制备了一系列Ni-B非晶态合金催化剂,研究了n(KBH4)/n(Ni)和Co含量对Ni-B非晶态合金催化剂微观结构及其催化二硝基甲苯(DNT)合成甲苯二胺(TDA)性能的影响。通过XRD