Ni含量及退火温度对Ni掺杂In2O3稀磁半导体薄膜的结构和性能的影响

u949194896 16 0 PDF 2020-07-22 07:07:17

Ni含量及退火温度对Ni掺杂In2O3稀磁半导体薄膜的结构和性能的影响,魏琳琳,孙志刚,采用溶胶凝胶法制备了Ni掺杂In2O3稀磁半导体薄膜。研究表明Ni在In2O3中的溶解度约为10%,在溶解度范围内,Ni含量的增加能促进薄膜粒子�

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