GaN是一种宽禁带直接带隙半导体材料，在电子器件领域有着广泛的应用。但由于缺 乏合适的衬底材料，限制了器件性能的进一步提高。因此，如何提高GaN外延层的性能就 成为GaN材料研究和应用中的主要问题。