Ni含量及退火温度对Ni掺杂In2O3稀磁半导体薄膜的结构和性能的影响,魏琳琳,孙志刚,采用溶胶凝胶法制备了Ni掺杂In2O3稀磁半导体薄膜。研究表明Ni在In2O3中的溶解度约为10%,在溶解度范围
Al/Al2O3复合掺杂对(Ba0.92Sr0.08)TiO3基陶瓷材料室温电阻率的影响,张连松,曲远方,通过实验,研究了铝和氧化铝复合掺杂对BaSrTiO3基陶瓷材料性能的影响和机理。观察了样品的显
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