溅射:以太坊虚拟机(EVM)的实现
大平面玻璃基片磁控溅射真空镀膜简介.....
在这项研究中,探索了氧化铈的射频(RF)溅射以确定操作条件对玻璃和硅基板上氧化铈膜生长的影响。 工艺变量是溅射时间,输入功率和R(Ar / O2)比。 为了更好地理解工艺变量对生长机理的影响,采用SE
射频反应磁控溅射制备VOx薄膜,李建峰,吴志明,本文采用射频反应溅射法制备了VOx薄膜,重点研究了氧分压对薄膜电学性能的影响,在低真空中330℃低温退火得到了高性能的VOx薄膜,制
利用准分子激光束辐照Y-Ba-Cu-O超导靶体,使之元素溅射出来,喷到平行于靶面的基片之上而淀积成膜,然后通过适当的退火过程,所制薄膜在液氮温区具有超导性。制取了零电阻温度85K的高温超导薄膜;讨论了
直流诱导的高功率脉冲非平衡磁控溅射,牟宗信,贾莉,发表了直流诱导的高功率脉冲非平衡磁控溅射模式的现象和机制分析。常规圆形平面磁控靶与同轴线圈构成非平衡磁控溅射靶,同轴线圈
粉末溅射法制备薄膜充电电池材料,王定友,任岳,经过长时间的研究和探索,在薄膜制作方法上我们研究开发了粉末磁控溅射镀膜法。利用这种方法,我们对全固体薄膜充电电池的多种负
本文应用高斯型离子束流强度分布计算了离子束溅射沉积光学薄膜的沉积速率分布,结果表明,沉积速率空间分布偏离余弦分布,峰值位置随溅射离子束入射角改变并受离子束高斯半径的影响。实验结果与之相符。
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低能Ar+溅射诱导CeO2(111)薄膜还原,王国栋,孔丹丹,利用同步辐射光电子能谱(SRPES)原位、系统地研究了Ar+溅射对在Ru(0001)表面外延生长的CeO2(111)薄膜表面的电子结构和化
