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用离子束溅工艺在K9玻璃基片上沉积Ti薄膜,并用原子力显微镜对其表面形貌进行测量,通过数值相关运算,发现在此工艺条件下薄膜生长界面为各向同性的自仿射分形表面,并用粗糙指数、横向相关长度和标准偏差粗糙度
采用射频反应磁控溅射系统,在K9双面抛光玻璃基底上制备氮化铝薄膜,通过实验测试并结合数值拟合计算研究了其他参数保持不变的条件下,沉积气压对其结构和光学性能的影响。薄膜的微观结构通过X射线衍射和原子力显
采用射频磁控溅射法,在K9 抛光玻璃基底上沉积氧化钒(VOx)薄膜,研究在其他参数保持不变时氧分压参量对薄膜的结构、表面质量及透光性能的影响。利用表面轮廓仪、X 射线衍射仪、原子力显微镜及分光光度计分
利用ZnS、SnS、CuS三种二元硫化物靶,分步溅射制备了铜锌锡硫(CZTS)薄膜, 并在不同温度下进行退火。研究了退火温度对薄膜晶体结构、组分、表面形貌及光学特性的影响。结果表明, 当退火温度为40
丙酮蒸气诱导PS-b-PMMA薄膜的去润湿行为，黄常春，文纲要，本文主要研究了苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯二嵌段共聚物（PS-b-PMMA，记为SMMA51K）超薄膜在丙酮蒸气诱导下发生的去润湿行为。通过旋
用波长为308 nm XeCl准分子激光辐射光解羰基锰二聚物Mn2(CO)10和羰基钨W(CO)。沉积锰和钨薄膜,研究了实验参量与薄膜特性之间的关系。
用常压金属化学气相沉积法(MOCVD)在Si(111)衬底上制备了马赛克结构ZnO单晶薄膜。引入低温AlN缓冲层以阻止衬底氧化、缓解热失配和晶格失配。薄膜双晶X射线衍射2θ/ω联动扫描只出现了Si(1
低能质子辐射下纳米CMOS SRAM中反冲离子诱导的单事件翻转
射频磁控反应溅射制备Al_2O_3薄膜过程中迟滞效应的消除，赵以德，，反应磁控溅射过程中的迟滞效应是限制它的应用发展的主要问题之一。本文在分析Berg模型的基础上，仿真模拟了Al_2O_3薄膜反应溅射
沉积气氛对直流磁控溅射制备的Mg掺杂CuCrO2薄膜结构和性能的影响
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