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反应室气压对Mg掺杂GaN的影响，朱铭，梁红伟，利用AixtronCCS金属有机化学气相沉积设备生长了Mg掺杂的GaN，通过对反应室内气压的调节，在150mbar,250mbar,400mbar和60
为了改善类金刚石(DLC)薄膜的应力和热稳定性,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,通过在原有设备上加入与流量控制器相连的双起泡器,并以氩气为运载气体,正丁烷为反应物,在硅基底上
基于双轴双折射薄膜模型,利用在不同入射角度下薄膜对两种偏振态光波透射光谱,同时获得“雕塑”薄膜主轴折射率N1,N2,N3和薄膜厚度d及柱状角β等参数。基于倾斜沉积技术,利用电子束反应蒸发方法制备了氧化
采用电泳沉积法在Ti片上制备TiN薄膜,在450℃下保温60min制备N掺杂TiO2薄膜（N-TiO2薄膜）,然后在不同浓度的AgNO3溶液中利用光还原沉积法制备负载Ag的N-TiO2薄膜。利用X射线
通过溶胶凝胶法和旋涂法成功制备了多种金属离子掺杂的介孔TiO2薄膜材料。小角X射线衍射谱和TEM测试结果表明Zn2+,Fe3+,Y3+掺杂的TiO2薄膜均具有较有序的介孔结构;掺入Zn2+,Fe3+的
溅射气体条件对Cu,Co共掺杂ZnO多层膜的结构,光学和磁性的影响
通过蒸发技术已经制备了厚度为（50-350 nm）的酞菁镍薄膜。 XRD研究表明，对于具有（100）取向的低厚度薄膜，其薄膜具有单晶结构，并且微晶尺寸随厚度增加而增加。 同样从用于NiPc膜的AFM技
铜添加剂对(CoPt)1-xCux薄膜结构和磁性的影响
衬底温度对MOCVD法制备的Sb掺杂ZnO薄膜的光学和电学特性的影响，李硕石，程轶，采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）法，于不同衬底温度下在c面蓝宝石衬底上制备了Sb掺杂的ZnO薄膜,并对薄膜进
F的掺杂对Mg(BH4)2·2NH3放氢性能的影响,杨燕京,刘永锋,为改善新型高容量储氢材料Mg(BH4)2·2NH3的放氢性能,使用XRD、FTIR、TPD和Sieverts测试仪等研究了KBF4的
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