反应室气压对Mg掺杂GaN的影响,朱铭,梁红伟,利用AixtronCCS金属有机化学气相沉积设备生长了Mg掺杂的GaN,通过对反应室内气压的调节,在150mbar,250mbar,400mbar和600mbar气压下,制备了四�