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AlGaNGaN异质结中极化效应的模拟(AlGaNGaNDevice)
600°C退火的AlGaN / GaN异质结构的无金欧姆接触的微观结构和物理机理
Ti / Al / Ti / W无金欧姆接触通过预欧姆凹槽蚀刻和低温退火与AlGaN / GaN异质结构的机理
在GaN上相干应变的梯度AlGaN中无掺杂的极化诱导pn结
通过金属有机气相沉积(MOCVD)在C面蓝宝石上生长使用无意掺杂的AlN / GaN超晶格(SLs)作为阻挡层的AlGaN / GaN异质结构。 与传统的硅掺杂结构相比,电性能得到改善。 平均薄层电阻
采用MOCVD 技术在R 面和C 面蓝宝石上生长非极性A 面和极性C 面AlGaN/GaN 异.质结。分别用X 射线衍射仪和原子力显微镜比较了两种材料的结构特性及表面形貌,通过电容-电.压测试比较了两
无意掺杂的GaN缓冲层中的陷阱能级对优化的p-GaN栅极AlGaN / GaN HEMT的影响
潘群峰,刘宝林(厦门大学物理系,福建 厦门 361005)摘要:宽带隙的GaN作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。p型GaN的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率GaN基器件的研制。本文讨论了金
AlGaN/GaN异质结的微区电性能研究，古曦，孙浩明，本文基于扫描探针显微镜(SPM)建立了微区电容的低频测量系统，最小测量电容为30aF，工作频率为20-100kHz。试验测量了SPM导电针尖与金
我们研究了AlGaN / GaN异质结构中电子速度的变化取决于关于照明光的强度和波长。 结果表明,高电子速度下的电子速度在带上光照下,磁场增加。 发现这种电子速度的增强与与热电子相互作用并因此加速的光
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