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本文报道了通过射频磁溅射成功将(掺杂的ZnO薄膜成功沉积在硅(100)上。 X射线衍射图表明,Eu替代了晶格中的Zn。 通过使用超导量子干涉装置在10 K和室温下获得铁磁环。 在零场冷却曲线和场冷却曲
采用射频磁控反应溅射工艺,在Si(400)衬底上制备了高c轴取向的AlN薄膜。用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜特征。研究了不同的Ar/N2比、衬底偏压、工作压强对AlN薄膜c轴择优取向的影响。研究了
射频磁控溅射制备氮化锌薄膜的结构和光学性质
本文采用射频磁控溅射法,以高硼硅玻璃为靶材,在高硼硅玻璃基底上制备高硼硅玻璃薄膜。探讨磁控溅射法与熔融法制得的高硼硅玻璃的性能差异,研究磁控溅射功率对高硼硅玻璃薄膜质量的影响。通过X射线衍射仪(XRD
以离子束溅射沉积(IBSD)方法制备了Al2O3、Nb2O5单层膜,用红外可变角度光谱椭圆偏振仪(IR-VASE)测试了薄膜的光学常数。用原子力显微镜(AFM)测量了单层膜的表面形貌及表面粗糙度,计算
为研制真空紫外与极紫外波段Al基薄膜光学元件,详细研究了Al基薄膜的应力特性及其优化方法。利用应力实时测量装置对共溅射技术制备的5种不同Si掺杂质量分数(0、8.97%、16.49%、28.46%、4
美帝乔治城(Georgetown)大学的利奥波德(L. Leopold)和格雷戈里(W. D. Gregory)考虑了在超导体的正常态和超导态之间发射远红外激光的可能性。他们将提出有关由半导体-超导体
Cu-Cu2O异质结的制备及光催化性能研究,孙少东,孔春才,本文采用一种简单的液相还原法,以二十六面体Cu2O为模板,成功地制备出了Cu-Cu2O异质结。利用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微
免成型TiW / Cu2O / Cu忆阻器件的导电机理
Zn2+掺杂的YBCO薄膜的超导性能研究,雷黎,赵高扬,采用溶胶-凝胶法在LaAlO3(LAO)单晶衬底上制备了Zn2+掺杂的YBCO薄膜,用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)以
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