暂无评论
碳掺杂ZnO薄膜中的缺陷诱导铁磁性
Na掺杂p型ZnOSe薄膜的制备及表征,蔡晖,张志远,使用脉冲激光沉积技术在石英衬底上制备了ZnOSe薄膜。在不同温度下对ZnOSe薄膜在N2气氛中进行快速退火。采用X射线衍射、Hall测试、紫外-
激光束外延促进超导薄膜生长
低压化学气相沉积法生长的B掺杂ZnO薄膜具有良好的光散射特性,可以用作硅基薄膜太阳能电池的前电极。以Zn(C2H5)2和H2O为前驱体,B2H6为掺杂物,通过低压化学气相沉积法在玻璃衬底上生长了B掺杂
两步法合成CuInS2薄膜及其性能研究，刘伟，彭香艺，本文采用真空蒸镀法和喷雾热解法两步合成CuInS2（CIS）薄膜。先通过真空蒸镀制备出一定厚度的Cu薄膜，然后在Cu薄膜上喷雾热解InCl3和硫
通过脉冲激光沉积制备具有c轴准外延取向的Fe掺杂CuCrO2铜铁矿薄膜,该薄膜具有相当好的p型导电性,TC远高于室温的铁磁性,并且在可见光范围内具有较高的透明度。 研究了铁浓度(0-15 at%)对组
Zn源流量对MOCVD方法生长氧化镓薄膜特性的影响，徐梦想，夏晓川，本文利用金属有机物化学气相沉积方法,以三乙基镓为镓源，二乙基锌作为掺杂锌源，高纯氧气作为氧源，高纯氩气作为载气，在锌源流��
缓释微胶囊香味薄膜的制备及其性能评价的研究，楼炳轩，张秀梅，研究香精微胶囊与塑料薄膜结合制备缓释香味薄膜。影响缓释微胶囊香味薄膜制备的因素主要有加热时间、加热温度、香精添加量三个主
超导Josephson隧道结的制备工艺及性能改善,常俊杰,翟计全,超导Josephson隧道结是实现超导量子比特的基本元件。本文介绍了一种利用电子束曝光技术和电子束斜蒸发技术相结合的方法来制备铝超导
Ni含量及退火温度对Ni掺杂In2O3稀磁半导体薄膜的结构和性能的影响，魏琳琳，孙志刚，采用溶胶凝胶法制备了Ni掺杂In2O3稀磁半导体薄膜。研究表明Ni在In2O3中的溶解度约为10%，在溶解度范围
暂无评论