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本文报道了通过射频磁溅射成功将(掺杂的ZnO薄膜成功沉积在硅(100)上。 X射线衍射图表明,Eu替代了晶格中的Zn。 通过使用超导量子干涉装置在10 K和室温下获得铁磁环。 在零场冷却曲线和场冷却曲
非磁性Mg掺杂ZnO薄膜中的稳健室温铁磁性和带隙调谐
共掺杂ZnO薄膜中铁磁性的掺杂浓度和退火温度依赖性
通过射频磁控溅射在硅(1 0 0)衬底上沉积多晶Zn(1-x)Eu(x)O(x = 0,0.02,0.05)薄膜。 研究了薄膜的结构,光学和磁性。 X射线衍射和光致发光光谱的结果都表明Eu(3+)离子
In2S3:Dy3 +量子点传感中的掺杂浓度诱导的铁磁性和反铁磁性
Sc掺杂ZnO的电子结构与缺陷磁性的研究，盖艳琴，闫羽，用基于密度泛函理论的平面波赝势方法计算了ZnO和Sc掺杂ZnO的电子能带结构。结果表明：Sc掺杂的ZnO和有氧空位的ZnO是非磁性的；Sc掺杂使
掺杂碱金属的AlP中的铁磁性:从头算研究
GaMnN薄膜由顺磁性变为铁磁性的方法-高温退火，胡泊，刘枚，通过激光分子束外延技术生长出具有顺磁性的非晶掺杂锰元素的氮化镓薄膜，经过高温退火后转变成结晶的铁磁性薄膜。经过X射线衍射�
钴-碳络合物在化学改性的钙钛矿稀磁性复合氧化物中诱导铁磁性。
采用射频反应溅射技术在硅(100)衬底上制备了未掺杂和掺In的ZnO薄膜。掠角X射线衍射测试表明,实验中制备的掺In样品为ZnO薄膜。用X射线衍射仪、原子力显微镜和荧光分光光度计分别对两样品的结构、表
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