暂无评论
本文展示并解释了Cu2 +离子对Cu2 + + Ce3 +共掺杂ZnO（ZnO：Cu2 + + Ce3 +）固溶体粉末中Ce3 +掺杂ZnO化合物（ZnO：Ce3 +）的结构和光致发光性能的影响。 通
退火气氛对脉冲激光沉积制备的Zn0.92Co0.08O薄膜铁磁性的影响，何琼，王浩，采用脉冲激光沉积方法在P型Si(100)和石英玻璃衬底上用ZnCoO陶瓷靶材制备出了Zn0.92Co0.08O薄膜。
镓掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备，迟景阳，李雪，本文采用MOCVD方法制备出了Ga掺杂的氧化锌透明导电薄膜，系统研究了氧气流量对样品的结构、电学性质及透过率的影响，发现在合适的�
Na掺杂p型ZnOSe薄膜的制备及表征,蔡晖,张志远,使用脉冲激光沉积技术在石英衬底上制备了ZnOSe薄膜。在不同温度下对ZnOSe薄膜在N2气氛中进行快速退火。采用X射线衍射、Hall测试、紫外-
为了改善类金刚石(DLC)薄膜的应力和热稳定性,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,通过在原有设备上加入与流量控制器相连的双起泡器,并以氩气为运载气体,正丁烷为反应物,在硅基底上
利用二波耦合(2BC)实验研究了掺杂C60垂直排列的向列相液晶(5CB)样品中形成光折变全息光栅的动态衍射特性。利用厚度为20 μm的样品中记录的光折变全息光栅(光栅间距Λ≈24 μm)获得了高达40
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法系统计算了Mg2Si及掺Ag、Al的能带结构、态密度和光学性质。计算结果表明,未掺杂Mg2Si属于间接带隙半导体, 禁带宽度为0.2994 eV, 其价带
采用高温热分解法合成了粒径约为10 nm的Li:YF4:Er,Yb纳米晶,将其掺杂入SU-8聚合物作为光波导放大器的有源层。以SiO2作为下包层,P(MMA-GMA)聚合物作为上包层,制备了Li:YF
我们研究了由Witten，Sakai和Sugimoto在具有N f简并风味的大型N c QCD模型中CP破坏拓扑θ项的影响。 我们首先计算基态能量密度，拓扑敏感性和最低位介子的质量，并从QCD手性有效
我们计算SU（3）规范理论的手征和连续极限中的m ϱ / fπ比，在基本表示中耦合N f = 2、3、4、5、6个费米子。 将所有系统效应保持在完全控制之下，我们发现N f-依赖性无统计学意义； m
暂无评论