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使用广义梯度近似(GGA)和Hubbard U方法进行第一性原理计算,以研究Co掺杂SnO2纳米片(NSs)的结构,电子和磁性。 我们发现两个Co原子具有聚集趋势,并且它们之间的磁性相互作用表现出铁磁
纳米结构ZnO薄膜的制备及其机械疏水耐久度的研究，杨亭亭，刘长松，采用水热法在铝基底表面制备出纳米结构的ZnO薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和接触角测量仪对制备得到的ZnO
在本报告中，我们介绍了聚偏氟乙烯/纳米氧化锌（PVDF / ZnO）复合薄膜的基本直流导电机理。 通过溶液流延法已经制备了PVDF基体中的氧化锌的纳米复合膜。 发现空间电荷限制传导（SCLC）是较高电
Sc掺杂Mg二元合金力学性能和电子结构第一性原理计算，何亚蒂，王轶农，Mg作为一种产业应用的重要战略资源，提高其力学性能，使其能更广泛的应用于更多领域非常重要。本文选择稀土元素Sc对其进行固溶体�
采用基于密度泛函理论的第一性原理对CeO2进行掺杂改性研究。在研究过程中，计算了未掺杂及不同掺杂情况下CeO2的几何晶体结构、能带和态密度、光学吸收谱。结果显示，Fe和N元素的单掺杂以及共掺杂后，晶胞
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法对纯CaF2晶体和Mg、Sr掺杂CaF2体系的晶体结构、电学以及光学性质进行了详细的对比研究,结果表明:与纯CaF2晶体相比,掺杂体系的带隙变窄且形成新的
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对不同Co含量的β-FeSi2的能带结构,态密度、分态密度和光学性质进行了计算和比较。几何结构和电子结构的计算结果表明,Co掺杂使得β-FeSi2的晶格
通过Fe部分取代Ba2 +的固相React制备A位取代的BaTiO3陶瓷。 通过与在类似条件下制备的B位置取代样品进行比较,使用X射线衍射,穆斯堡尔光谱法和振动样品磁力计研究了Fe掺杂部位对组织和磁性
TiO2中Fe和Ce共掺杂的电子结构的第一性原理研究，赵强，殷春浩，采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法研究了纯锐钛矿相的TiO2、单掺杂Fe和Ce及Fe和Ce共掺杂的TiO2的能带结构及态密度。
硼是金刚石中最常见的受主元素之一, 其在价带之上0.37 eV处形成了浅能级, 因此硼掺杂金刚石被认为是一种理想的p型半导体材料。在化学气相沉积 法制备的硼掺杂金刚石中, 硼杂质在晶体中的分布非常不均
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