本文报道了通过射频磁溅射成功将(掺杂的ZnO薄膜成功沉积在硅(100)上。 X射线衍射图表明,Eu替代了晶格中的Zn。 通过使用超导量子干涉装置在10 K和室温下获得铁磁环。 在零场冷却曲线和场冷却曲线中均未发现不连续的变化。 Eu掺杂的ZnO中观察到的铁磁性可归因于单个磁相。 通过在溅射气体中引入5%的氧气或在O(2)中进行后退火制备的Eu掺杂ZnO的饱和磁化强度显着降低,这表明缺陷在Eu掺杂ZnO的铁磁性发展中起关键作用电影。