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多孔硅表面磁控溅射沉积钛膜的形貌研究,展长勇,蒋稳,采用磁控溅射的方法来分别在随机刻蚀的多孔硅和孔径2.5 μm、12 μm、15 μm的多孔硅阵列上沉积钛膜。分别讨论了加偏压和不加偏压条件�
AlN缓冲层厚度对脉冲激光沉积在c蓝宝石衬底上生长的ZnO薄膜性能的影响
DBD-HWCVD沉积硅薄膜的研究,张春丽,刘艳红,介质阻挡放电(DBD)等离子体增强热丝化学气相(HWCVD)沉积技术延承了PE-HWCVD技术沉积速率高的特点,同时降低了其中高能离子对薄膜的损
溅射和退火温度对磁控溅射法生长的ZnO薄膜性质的影响,王彬,赵子文,利用磁控溅射法在Al203(001)衬底上生长ZnO薄膜,生长温度分别为500℃、550℃、600℃和650℃。生长后进行了800℃
直流磁控溅射制备超导TiN薄膜,陈志平,曹春海,在室温下,采用直流磁控溅射在高阻硅上生长了TiN薄膜,分别设定溅射功率、溅射气压以及N2和Ar的气体流量比为单一变量,获得了不同�
衬底温度对脉冲激光沉积在Si衬底上的ZnCoO薄膜的影响,姜守振,王传超,在不同的衬底温度下在n型Si(111)衬底上采用脉冲激光沉积的方法生长了(002)择优取向的具有室温铁磁性的Zn0.95Co0
多孔TiO2基底上CuInSe2(CIS)薄膜的电沉积制备,杨靖霞,石勇,采用电化学沉积法,以硫酸铜、硫酸铟和二氧化硒为原料,在多孔TiO2基底上于沉积电位-1100mV成功沉积制备出CuInSe2薄
纳米硅氧薄膜的低温沉积及其光电特性 ,刘海旭,赵静,本文目的在于研究低温下获得高质量纳米硅氧(nc-SiOx:H)薄膜材料的制备条件,采用甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,以硅
PECVD沉积参数对硅薄膜生长速率的影响,王志辉,强颖怀,高效、稳定、廉价的多晶硅薄膜太阳电池有可能替代非晶硅薄膜太阳电池成为新一代无污染民用太阳能电池。传统等离子体化学汽相沉积
直流反应磁控溅射氮化钛薄膜电极的工艺研究,王男,周大雨,采用直流磁控溅射技术在Si(100)基片上制备了不同溅射电流以及不同氩氮比下的氮化钛(TiN)纳米薄膜电极。通过表面台阶测试仪﹑四�
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