直流磁控溅射制备超导TiN薄膜

薄膜制备技术 试验.ppt 真空技术在二十世纪得到迅速发展,并有广泛的应用。二十世纪初,在真空获得和测量的设备方面取得进展,如旋转式机械泵,皮氏真空计,扩散泵,热阴极电离真空计的发明,为工业上应用高真

氧空位对磁控溅射沉积二氧化铈薄膜结构,光学和光催化性能的影响

郭兴龙1,于先进2,薛成山1,董志华1,高海永1(1.山东师范大学半导体研究所,山东 济南 250014;2.山东理工大学化学工程学院,山东 淄博)摘要:用磁控溅射方法制备了粒径大小为20nm的金红石

介绍了在金属基片上激光沉积缓冲层和YBa2Cu3O7-x(YBCO)高温超导薄膜的研究结果。 在带yttria-stabilized-zirconia(YSZ)缓冲层的NiCr合金基片上, 激光原位沉

日本工业技术院电子技术综含研究所用大功率激光束熔融高温超导体制作薄膜获得成功。用铋系高温超导体制作薄膜,在80 K(-193 °C)时电阻为零。已推出几种高温超导体薄膜化技术。激光喷镀法的优点在于能在

ECR-MOPECVD技术制备GaN薄膜研究，李赟，陈俊芳，利用氮等离子体阀射光谱和朗谬尔双探针诊断了ECR-MOPECVD装置反应室中轴向与径向的等离子体参数，得到相同气压，不同功率，不同位置�

L-MBE法制备氧化镓薄膜，孔德敏，刘爱华，本实验用L-MBE（激光分子束外延）法在蓝宝石衬底上制备氧化镓薄膜，并研究了氧分压和激光能量对氧化镓薄膜结晶质量的影响。并利用X

通过射频磁控溅射制备的具有TiO“ 2薄晶种层的ITO膜的结构,电学和光学性质

在这项研究中，探索了氧化铈的射频（RF）溅射以确定操作条件对玻璃和硅基板上氧化铈膜生长的影响。 工艺变量是溅射时间，输入功率和R（Ar / O2）比。 为了更好地理解工艺变量对生长机理的影响，采用SE

本文应用高斯型离子束流强度分布计算了离子束溅射沉积光学薄膜的沉积速率分布,结果表明,沉积速率空间分布偏离余弦分布,峰值位置随溅射离子束入射角改变并受离子束高斯半径的影响。实验结果与之相符。