论文研究射频反应磁控溅射制备VOx薄膜 .pdf

塑性成型制备微米级钛酸钡薄膜研究，苏力宏，周芝泉，作为具有高介电常数跃迁性能的铁电薄膜材料，微米级钛酸钡薄膜具有作为超级电容器和电子小型化器件应用的性能优势。本文分析了现

MOD法制备SrTiO3薄膜研究，陈文祥，丁灵效，本文采用金属有机物沉积（MOD）方法在双轴织构的Ni-5at%W合金基带上制备YBCO超导带材的SrTiO3(STO)缓冲层。研究了退火温度以及单层薄

水溶液法制备ZnO薄膜的研究，刘辉，靳正国，以硝酸锌和氨水为前驱生长液，采用低温水溶液法在涂敷ZnO晶种层的玻璃基底上外延生长ZnO棒状晶薄膜。应用SEM和XRD表征ZnO薄膜的形貌和

电泳沉积制备功能薄膜研究进展，周海佳，刘雪芹，电泳沉积（EPD）是一种材料制备的电化学方法，应用十分广泛。作为功能材料制备的重要手段，电泳沉积最近几年发展非常迅速。不仅其

采用射频反应溅射技术在硅(100)衬底上制备了未掺杂和掺In的ZnO薄膜。掠角X射线衍射测试表明,实验中制备的掺In样品为ZnO薄膜。用X射线衍射仪、原子力显微镜和荧光分光光度计分别对两样品的结构、表

硅薄膜的制备及光学性能研究，马胜利，王利，本文采用磁控溅射技术，通过改变溅射功率制备了系列非晶硅薄膜，并研究了薄膜的光学性能。结果发现，随着溅射功率的提高，硅薄膜

采用射频磁控溅射法,以铌靶和硅靶为靶材,在玻璃基片上沉积了NbSiN薄膜。研究了硅靶、铌靶功率、氮气流量以及溅射时间对薄膜光学性能的影响,得出实验室条件下的最佳制备工艺参数。测试结果表明,最佳工艺参数

溅射功率和退火时间对Ca2Si薄膜结构特性的影响，任雪勇，谢泉，采用射频磁控溅射技术在Si（100）衬底上制备出Ca2Si薄膜，研究了溅射功率和退火时间对薄膜的晶体结构、表面形貌的影响。X-射线衍射（

离子束溅射制备SiO2薄膜的折射率与应力调整

采用脉冲激光溅射沉积技术在LaAlO3(001)衬底上制备了一系列不同厚度(40~240 nm)的La0.67Ba0.33MnO3薄膜。通过控制薄膜的厚度,获得了不同应变态的La0.67Ba0.33M