NTD30N02的技术参数

rranyuqiang 3 0 PDF 2020-12-13 00:12:26

产品型号:NTD30N02源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):11.200最大漏极电流Id(on)(A):30通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~150描述:30A,24V逻辑电平的功率MOSFET价格/1片(套):¥4.30

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产品型号:NTD3055L170T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):170最大漏极电流Id(on)(A):9通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK

产品型号:NTD20P06LT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):150最大漏极电流Id(on)(A):15.500通道极性:P沟道封装/温度(°C):DP

产品型号:NTD3055L104T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):104最大漏极电流Id(on)(A):12通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK

产品型号:NTD20P06L-1G源漏极间雪崩电压VBR(V):-60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):150最大漏极电流Id(on)(A):-15.500通道极性:P沟道封装/温度(°C):

产品型号:REF02BP输出电压(V):5静态电流(μA):1400容限(%):0.200输入电压最小值(V):8输入电压最大值(V):40温度系数(ppm/°C):4封装/温度(°C):8PDIP/

产品型号:REF02AP输出电压(V):5静态电流(μA):1400容限(%):0.200输入电压最小值(V):8输入电压最大值(V):40温度系数(ppm/°C):4封装/温度(°C):8PDIP/

产品型号:REF02BU输出电压(V):5静态电流(μA):1400容限(%):0.200输入电压最小值(V):8输入电压最大值(V):40温度系数(ppm/°C):4封装/温度(°C):8SOIC/

产品型号:REF02AU输出电压(V):5静态电流(μA):1400容限(%):0.200输入电压最小值(V):8输入电压最大值(V):40温度系数(ppm/°C):4封装/温度(°C):8SOIC/

产品型号:SMF30AT1雪崩电压VBRmin(V):33.300雪崩电压VBRnom(V):35.100雪崩电压VBRmax(V):36.800IT(mA):1峰值反向工作电压VRWM(V):30最

产品型号:1.5KE30AJEDEC(电子器件工程联合会)型号:1N6282A雪崩电压VBR(V):30峰值反向工作电压VRWM(V):1最大反向漏电流IR(uA):25.600最大反向浪涌电流IRS

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