REF02AP的技术参数

xudaqing67031 4 0 PDF 2020-12-23 04:12:06

产品型号:REF02AP输出电压(V):5静态电流(μA):1400容限(%):0.200输入电压最小值(V):8输入电压最大值(V):40温度系数(ppm/°C):4封装/温度(°C):8PDIP/-40~85描述:+5V精密电压基准价格/1片(套):¥17.40

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产品型号:MMDF2P02HDR2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):160最大漏极电流Id(on)(A):3.600通道极性:P/P沟道封装/温度(°C):

产品型号:MGSF2N02ELT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):115最大漏极电流Id(on)(A):2.800通道极性:N沟道封装/温度(°C):SO

产品型号:MC74HC02ADR2G封装/温度(°C):14SOIC/-55~125描述:四2输入或非门价格/1片(套):¥1.25

产品型号:SN74LVC1G02DCKT封装/温度(°C):SOP-5/-40~85描述:单2输入正或非门价格/1片(套):¥3.30

产品型号:MMDF2N02ER2G源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):100最大漏极电流Id(on)(A):3.600通道极性:N/N沟道封装/温度(°C):S

产品型号:SN74AHC1G02DBVR封装/温度(°C):SOT23-5/-40~85描述:单2输入正或非门价格/1片(套):¥.90

产品型号:NTD85N02RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5.200最大漏极电流Id(on)(A):85通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK

产品型号:NTD110N02RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):4.600最大漏极电流Id(on)(A):110通道极性:N沟道封装/温度(°C):DP

产品型号:NTMS10P02R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):14最大漏极电流Id(on)(A):1.600通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOIC

产品型号:NTMD2C02R2SG源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):43最大漏极电流Id(on)(A):5.200通道极性:N/P封装/温度(°C):SOIC

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