NTD110N02RT4G的技术参数

产品型号:NTD110N02RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):4.600最大漏极电流Id(on)(A):110通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK 4/-55 ~150描述:24 V, 110 A功率MOSFET价格/1片(套):¥6.00