NTD85N02R的技术参数

yjys40441 2 0 PDF 2020-12-13 00:12:25

产品型号:NTD85N02R源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):4.800最大漏极电流Id(on)(A):85通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~150描述:85A,24V功率MOSFET价格/1片(套):¥8.30

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产品型号:NTMS5P02R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):33最大漏极电流Id(on)(A):5.400通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOIC-

产品型号:NTMD4N03R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60最大漏极电流Id(on)(A):4通道极性:N封装/温度(°C):SOIC-8/-55~

产品型号:NTMS7N03R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):23最大漏极电流Id(on)(A):7通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOIC-8/-5

产品型号:NTMD6N03R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):32最大漏极电流Id(on)(A):6通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOIC-8/-5

产品型号:NTD25P03LT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):72最大漏极电流Id(on)(A):25通道极性:P沟道封装/温度(°C):DPAK 4/

产品型号:NTD3055L170T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):170最大漏极电流Id(on)(A):9通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK

产品型号:NTD20P06LT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):150最大漏极电流Id(on)(A):15.500通道极性:P沟道封装/温度(°C):DP

产品型号:NTD3055L104T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):104最大漏极电流Id(on)(A):12通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK

产品型号:NTD20P06L-1G源漏极间雪崩电压VBR(V):-60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):150最大漏极电流Id(on)(A):-15.500通道极性:P沟道封装/温度(°C):

产品型号:REF02BP输出电压(V):5静态电流(μA):1400容限(%):0.200输入电压最小值(V):8输入电压最大值(V):40温度系数(ppm/°C):4封装/温度(°C):8PDIP/

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