NTD3055L104T4G的技术参数

产品型号:NTB35N15T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):150源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):50最大漏极电流Id(on)(A):37通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK/-

产品型号:NTB85N03T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):28源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):6.100最大漏极电流Id(on)(A):85通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK

产品型号:NTB60N06T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):14最大漏极电流Id(on)(A):60通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK/-5

产品型号:NTB52N10T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):30最大漏极电流Id(on)(A):52通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK/-

产品型号:MJD45H11T4G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):80集电极最大电流IC(Max)(A):8直流电流增益hFE最小值(dB):40直流电流增益hFE最大值(dB):

产品型号:MTD6N15T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):150源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):300最大漏极电流Id(on)(A):6通道极性:N沟道封装/温度(°C):4DPAK/-5

产品型号:MMSZ2V4T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):2.280齐纳击穿电压Vz典型值(V):2.400齐纳击穿电压Vz最大值(V):2.520@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):100最

产品型号:MMSZ4V7T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.470齐纳击穿电压Vz典型值(V):4.700齐纳击穿电压Vz最大值(V):4.940@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):80最大

产品型号:MMSZ4V3T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.090齐纳击穿电压Vz典型值(V):4.300齐纳击穿电压Vz最大值(V):4.520@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):90最大

产品型号:NTD12N10源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):130最大漏极电流Id(on)(A):12通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~