NTB52N10T4G的技术参数

产品型号:MJD45H11T4G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):80集电极最大电流IC(Max)(A):8直流电流增益hFE最小值(dB):40直流电流增益hFE最大值(dB):

产品型号:MMSZ2V4T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):2.280齐纳击穿电压Vz典型值(V):2.400齐纳击穿电压Vz最大值(V):2.520@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):100最

产品型号:MMSZ4V7T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.470齐纳击穿电压Vz典型值(V):4.700齐纳击穿电压Vz最大值(V):4.940@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):80最大

产品型号:MMSZ4V3T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.090齐纳击穿电压Vz典型值(V):4.300齐纳击穿电压Vz最大值(V):4.520@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):90最大

产品型号:BSV52LT1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):12集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.100直流电流增益hFE最小值(dB):40直流电流增益hFE最大值(

产品型号:2N5460G零门极电压最小耗尽电流IDSS Min (?A):1000零门极电压最大耗尽电流IDSS Max (?A):5000门极-源极雪崩电压VGSS Min (V):40输入电容CI

产品型号:2N5457G零门极电压最小耗尽电流IDSS Min (?A):1000零门极电压最大耗尽电流IDSS Max (?A):5000门极-源极雪崩电压VGSS Min (V):25输入电容CI

产品型号:2N5461G零门极电压最小耗尽电流IDSS Min (?A):2000零门极电压最大耗尽电流IDSS Max (?A):9000门极-源极雪崩电压VGSS Min (V):40输入电容CI

产品型号:2N5462G零门极电压最小耗尽电流IDSS Min (?A):4000零门极电压最大耗尽电流IDSS Max (?A):6000门极-源极雪崩电压VGSS Min (V):40输入电容CI

产品型号:2N4124G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):25集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):-直流电流增益hFE最大值(dB):-最