NTP52N10G的技术参数

hao_guo_wei 6 0 PDF 2020-12-13 13:12:53

产品型号:NTP52N10G源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):30最大漏极电流Id(on)(A):60通道极性:N沟道封装/温度(°C):TO-220/-55 ~150描述:60 A, 100 V功率MOSFET价格/1片(套):¥18.40

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产品型号:MC10EP52DTG工作电压(V):3.3/5.0输出方式:差分触发频率(GHz):>4.0延时时间(Typ)ps:330建立时间(Min)ps:50保持时间(Min)ps:0设定/

产品型号:NTD12N10源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):130最大漏极电流Id(on)(A):12通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~

产品型号:NTB13N10源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):-最大漏极电流Id(on)(A):13通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK/-55~1

产品型号:MAC15A10G断态重复峰值电压VDRM(Max)(V):800反向重复峰值电压VRRM(Max)(V):800额定正向平均电流IF(Max)(A):15门极触发电流IGT(Max)(mA

产品型号:NE592N8G通道数:2工作电压Min. (V):-8工作电压Max. (V):8带宽典型值(MHz):90转换速率(典型值)(V/μs):-输入失调电压Max.(mV):-工作电流(mA

产品型号:NTD12N10-1G源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):165最大漏极电流Id(on)(A):12通道极性:N封装/温度(°C):DPAK-3/-

产品型号:NTD18N06-1G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60最大漏极电流Id(on)(A):18通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK 3/-

产品型号:NTB75N06G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9.500最大漏极电流Id(on)(A):75通道极性:N封装/温度(°C):D2PAK-3/-

产品型号:NTD20N06G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):46最大漏极电流Id(on)(A):20通道极性:N封装/温度(°C):DPAK-4/-55~1

产品型号:NE592N14G通道数:2工作电压Min. (V):-8工作电压Max. (V):8带宽典型值(MHz):90转换速率(典型值)(V/μs):-输入失调电压Max.(mV):-工作电流(m

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