NTB35N15T4G的技术参数

w40555 4 0 PDF 2020-12-13 09:12:21

产品型号:NTB35N15T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):150源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):50最大漏极电流Id(on)(A):37通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK/-55 ~150描述:37 A, 150 V功率MOSFET价格/1片(套):¥16.00

推荐下载

产品型号:NTD32N06LT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):28最大漏极电流Id(on)(A):32通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK 4/

产品型号:MTD6N20ET4G源漏极间雪崩电压VBR(V):200源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):700最大漏极电流Id(on)(A):6通道极性:N沟道封装/温度(°C):3DPAK/-

产品型号:NTD85N02RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5.200最大漏极电流Id(on)(A):85通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK

产品型号:NTD110N02RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):4.600最大漏极电流Id(on)(A):110通道极性:N沟道封装/温度(°C):DP

产品型号:NTD18N06LT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60最大漏极电流Id(on)(A):18通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK 4/

产品型号:NTD70N03RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):8最大漏极电流Id(on)(A):72通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK 4/-

产品型号:NTD95N02RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5最大漏极电流Id(on)(A):95通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK 4/-

产品型号:MLD2N06CLT4G通态电阻RDS(on)(Max)(Ω)(@VGS=5.0V):0.400过压保护:Yes过流保护:Yes过热保护:NoESD:Yes总功耗Pd(W):40封装/温度(

产品型号:NTD60N02RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):10.500最大漏极电流Id(on)(A):62通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPA

产品型号:NTD23N03RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):45最大漏极电流Id(on)(A):23通道极性:N封装/温度(°C):DPAK-4/-5

用户评论

请输入评论内容

评分：

暂无评论