MTD6N15T4G的技术参数

产品型号:NUP4304MR6T1G雪崩电压VBRmin(V):70雪崩电压VBRnom(V):-雪崩电压VBRmax(V):-IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):2.500峰值反向工作电压V

产品型号:MMSZ6V2T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.890齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.200齐纳击穿电压Vz最大值(V):6.510@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):10最大

产品型号:MMSZ5V6T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.320齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.600齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.880@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):40最大

产品型号:MMSZ6V8T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):6.460齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.800齐纳击穿电压Vz最大值(V):7.140@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):15最大

产品型号:MAC15A10G断态重复峰值电压VDRM(Max)(V):800反向重复峰值电压VRRM(Max)(V):800额定正向平均电流IF(Max)(A):15门极触发电流IGT(Max)(mA

产品型号:MAC15A8G断态重复峰值电压VDRM(Max)(V):600反向重复峰值电压VRRM(Max)(V):600额定正向平均电流IF(Max)(A):150门极触发电流IGT(Max)(mA

产品型号:MLD1N06CLT4G通态电阻RDS(on)(Max)(Ω)(@VGS=5.0V):0.750过压保护:Yes过流保护:Yes过热保护:NoESD:Yes总功耗Pd(W):40封装/温度(

产品型号:NTB75N06LT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):11最大漏极电流Id(on)(A):75通道极性:N封装/温度(°C):D2PAK-3/-

产品型号:NTD24N06LT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):45最大漏极电流Id(on)(A):24通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK 4/

产品型号:NTMD4N03R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60最大漏极电流Id(on)(A):4通道极性:N封装/温度(°C):SOIC-8/-55~