MMSZ6V2T1G的技术参数

产品型号:MMSZ6V2T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.890齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.200齐纳击穿电压Vz最大值(V):6.510@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):10最大功率PMax(W):0.500芯片标识:V1封装/温度(°C):SOD123/-65~150价格/1片(套):¥.38