NUP4102XV6T1G的技术参数

产品型号:MBR0540T1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):40平均整流器前向电流IO(max)(A):0.500瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.53@0.5A非重复峰值浪涌电

产品型号:MRA4005T1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):600平均整流器前向电流IO(max)(A):1瞬间前向电压VF(max)@IF(V):1.1@1.0A非重复峰值浪涌电流IFS

产品型号:MMSD103T1G最小反向电压VR(V):250最大反向漏电流IR(?A):100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):5反向恢复时

产品型号:MMSZ4679T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):1.900齐纳击穿电压Vz典型值(V):2齐纳击穿电压Vz最大值(V):2.100@Izt(mA):0.050齐纳阻抗Zzt(Ω):-最大

产品型号:MMSZ18T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):17.100齐纳击穿电压Vz典型值(V):18齐纳击穿电压Vz最大值(V):18.900@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):45最大功率

产品型号:MMDL914T1G最小反向电压VR(V):100最大反向漏电流IR(?A):5正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):4反向恢复时间t

产品型号:MUN2211T1G类型:NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10KR2(Ω):10K芯片上标识:-封装/

产品型号:MMSZ4688T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.470齐纳击穿电压Vz典型值(V):4.700齐纳击穿电压Vz最大值(V):4.940@Izt(mA):0.050齐纳阻抗Zzt(Ω)

产品型号:MMSZ12T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):11.400齐纳击穿电压Vz典型值(V):12齐纳击穿电压Vz最大值(V):12.600@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):25最大功率

产品型号:DAP222T1G最小反向电压VR(V):80最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1.200最大二极管电容CT(pF ):3.