NTD110N02R的技术参数

huangdd49032 5 0 PDF 2020-12-13 00:12:00

产品型号:NTD110N02R源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):3.700最大漏极电流Id(on)(A):110通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~150描述:110A,24V功率MOSFET价格/1片(套):¥9.20

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产品型号:NTMS10P02R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):14最大漏极电流Id(on)(A):1.600通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOIC

产品型号:NTMD2C02R2SG源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):43最大漏极电流Id(on)(A):5.200通道极性:N/P封装/温度(°C):SOIC

产品型号:NTMD2C02R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):43最大漏极电流Id(on)(A):5.200通道极性:N/P沟道封装/温度(°C):SOI

产品型号:NTMS5P02R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):33最大漏极电流Id(on)(A):5.400通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOIC-

产品型号:NTMD4N03R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60最大漏极电流Id(on)(A):4通道极性:N封装/温度(°C):SOIC-8/-55~

产品型号:NTMS7N03R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):23最大漏极电流Id(on)(A):7通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOIC-8/-5

产品型号:NTMD6N03R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):32最大漏极电流Id(on)(A):6通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOIC-8/-5

产品型号:1SMB110AT3峰值反向工作电压VRWM(V):110雪崩电压VBRmin(V):122IT(mA):1最大反向电压(钳位电压)Vc(V):177最大反向浪涌电流Ipp(A):3.400

产品型号:MBRM110LT1反向重复峰值电压VRRM(max)(V):10平均整流器前向电流IO(max)(A):1瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.365@1.0A非重复峰值浪涌电流IF

产品型号:NTD25P03LT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):72最大漏极电流Id(on)(A):25通道极性:P沟道封装/温度(°C):DPAK 4/

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