MBRM110LT1的技术参数

产品型号:BCX19LT1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):45集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.500直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值

产品型号:MMBT6427LT1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):500直流电流增益hFE最小值(dB):20000直流电流增益hFE最

产品型号:BC807-16LT1G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):45集电极最大电流Ic(max)(mA):500直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值

产品型号:BAW56LT1G最小反向电压VR(V):70最大反向漏电流IR(?A):2.500正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):2反向恢复时

产品型号:BC817-16LT1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):45集电极最大电流Ic(max)(mA):500直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值

产品型号:2N7002LT1源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):7500最大漏极电流Id(on)(A):0.120通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOT-2

产品型号:MMBFJ177LT1G零门极电压最小耗尽电流IDSS Min (?A):1500零门极电压最大耗尽电流IDSS Max (?A):20000门极-源极雪崩电压VGSS Min (V):30

产品型号:MMUN2114LT1G类型:PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):10KR2(Ω):47K芯片上标识:A6

产品型号:MMBFU310LT1G零门极电压最小耗尽电流IDSS Min (?A):24000零门极电压最大耗尽电流IDSS Max (?A):60000门极-源极雪崩电压VGSS Min (V):2

产品型号:MMBV2105LT1G最小反向电压VR(V):30最大二极管电容CT@V(Max)( pF):16.500最大二极管电容CT@VV:4正向电压VF最大值(V):-最大反向漏电流IR (Ma