NTD60N02R的技术参数

产品型号:NTMD2C02R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):43最大漏极电流Id(on)(A):5.200通道极性:N/P沟道封装/温度(°C):SOI

产品型号:NTMS5P02R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):33最大漏极电流Id(on)(A):5.400通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOIC-

产品型号:NCP1200D60R2G最大工作电压(V):16开关可承受电压(V)/电流(A):(External ref.)控制方式:PWM电流模式开关频率(KHz):60封装/温度(°C):SOIC

产品型号:NCP1201D60R2G最大工作电压(V):16开关可承受电压(V)/电流(A):(External ref.)控制方式:PWM电流模式开关频率(KHz):60封装/温度(°C):SOIC

产品型号:NCP1203D60R2G最大工作电压(V):16开关可承受电压(V)/电流(A):(External ref.)控制方式:PWM电流模式开关频率(KHz):60封装/温度(°C):SOIC

产品型号:NTMD4N03R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60最大漏极电流Id(on)(A):4通道极性:N封装/温度(°C):SOIC-8/-55~

产品型号:NTMS7N03R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):23最大漏极电流Id(on)(A):7通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOIC-8/-5

产品型号:NTMD6N03R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):32最大漏极电流Id(on)(A):6通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOIC-8/-5

产品型号:REF02BP输出电压(V):5静态电流(μA):1400容限(%):0.200输入电压最小值(V):8输入电压最大值(V):40温度系数(ppm/°C):4封装/温度(°C):8PDIP/

产品型号:REF02AP输出电压(V):5静态电流(μA):1400容限(%):0.200输入电压最小值(V):8输入电压最大值(V):40温度系数(ppm/°C):4封装/温度(°C):8PDIP/