NTD70N03RT4的技术参数

产品型号:1N6267ARL4GJEDEC(电子器件工程联合会)型号:1N6267ARL4G雪崩电压VBR(V):6.800峰值反向工作电压VRWM(V):5.800最大反向漏电流IR(uA):100

产品型号:1N6284ARL4GJEDEC(电子器件工程联合会)型号:1N6284ARL4G雪崩电压VBR(V):36峰值反向工作电压VRWM(V):30.800最大反向漏电流IR(uA):5最大反向

产品型号:1N6276ARL4GJEDEC(电子器件工程联合会)型号:1N6276ARL4G雪崩电压VBR(V):16峰值反向工作电压VRWM(V):13.600最大反向漏电流IR(uA):5最大反向

产品型号:NTHD4N02FT1源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60@-4.5V最大漏极电流Id(on)(A):2.700通道极性:N沟道封装/温度(°C)

产品型号:1N6373RL4GJEDEC(电子器件工程联合会)型号:1N6373RL4G雪崩电压VBR(V):6峰值反向工作电压VRWM(V):5最大反向漏电流IR(uA):300最大反向浪涌电流IR

产品型号:NTD20P06L-1G源漏极间雪崩电压VBR(V):-60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):150最大漏极电流Id(on)(A):-15.500通道极性:P沟道封装/温度(°C):

产品型号:MTB50P03HDLT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):25最大漏极电流Id(on)(A):50通道极性:P沟道封装/温度(°C):3D2PA

产品型号:M68AW031AM70N6E工作电压:2.7~3.6V位密度:512K接口:并口访问速度(ns):70封装/温度(°C):TSOP-28/-40~85描述:32K X 8 SRAM 3V

产品型号:M29DW640D70N6E位密度:64M结构:4Mbx16, 8Mbx8工作电压(V):2.7~3.6静态电流(uA):100读取时间(ns):70扇区擦除时间(ms):-字编程时间(us

产品型号:BQ4010YMA-70位密度:64K结构:×8接口:并口工作电压 (V):4.5~5.5时钟速率:—封装/温度(°C):DIP MODULE-28/0~70描述:8Kx8 非易失性 SRA