用于半导体材料晶片的快速退火处理工艺

所有人 S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 本发明涉及一种用于选自于半导体材料的晶片的表面处理工艺,通过转移技术获得该晶片,以及该工艺包括依次包含下述步骤的快速退火阶段:a)温度上升的第一个斜坡,是为了开始加热,b)第一次稳定停止,是为了稳定温度,c)温度上升的第二个斜坡,其特征在于在第二个斜坡期间,在称为低的第一温度范围之内温度上升的平均斜率具有第一值,然后在称为高的温度范围之内增加。 下载:图片1 图片2 图片3 图片4 图片5 图片6 图片7 图片8 图片9 图片10 备注:1 如果图片无法查看,可下载tif插件后重试。2 如果图片无法下载,请隔后重试。3 所有图片及资