采用数值方法,研究了半导体InSb材料受连续波激光辐照的熔融阈值,讨论了InSb材料的熔融阈值与入射激光波长、功率密度以及辐照时间的关系,同时考虑了载流子效应对靶内温升过程以及熔融阈值的影响,给出了材料内温度与载流子密度的瞬态分布。