NTD15N06L的技术参数

mizaoyu 10 0 PDF 2020-12-13 14:12:10

产品型号:NTD15N06L源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):76最大漏极电流Id(on)(A):15通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~175描述:15A,60V功率MOSFET价格/1片(套):¥2.80

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产品型号:NTD3055-094T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):94最大漏极电流Id(on)(A):9通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK 4

产品型号:NTD4813NT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):13最大漏极电流Id(on)(A):40通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK 4/-

产品型号:NTD5406NT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):40源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):10最大漏极电流Id(on)(A):70通道极性:N封装/温度(°C):DPAK-4/-55

产品型号:NTD4809NT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9最大漏极电流Id(on)(A):58通道极性:N封装/温度(°C):DPAK-4/-55~

产品型号:NTD4805NT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5最大漏极电流Id(on)(A):88通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~

产品型号:NTD25P03LG源漏极间雪崩电压VBR(V):-30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):51最大漏极电流Id(on)(A):-25通道极性:P沟道封装/温度(°C):DPAK/-5

产品型号:NTD3055-150T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):150最大漏极电流Id(on)(A):9通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK

产品型号:NTD4804NT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):4最大漏极电流Id(on)(A):117通道极性:N封装/温度(°C):DPAK-4/-55

产品型号:NTD4810NT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):10最大漏极电流Id(on)(A):54通道极性:N封装/温度(°C):DPAK-4/-55

产品型号:NTD4806NT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):6最大漏极电流Id(on)(A):76通道极性:N封装/温度(°C):DPAK-4/-55~

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