NTD3055 094T4G的技术参数

xhua71549 7 0 PDF 2020-12-13 06:12:54

产品型号:NTD3055-094T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):94最大漏极电流Id(on)(A):9通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK 4/-55 ~150描述:60 V, 9.0 A功率MOSFET价格/1片(套):¥2.70

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产品型号:NTD30N02源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):11.200最大漏极电流Id(on)(A):30通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-5

产品型号:NTD60N03源漏极间雪崩电压VBR(V):28源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):6.100最大漏极电流Id(on)(A):60通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55

产品型号:NTD80N02源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5最大漏极电流Id(on)(A):80通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~150

产品型号:MBRD340T4反向重复峰值电压VRRM(max)(V):40平均整流器前向电流IO(max)(A):3瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.60@3.0A非重复峰值浪涌电流IFSM

产品型号:MBRD320T4反向重复峰值电压VRRM(max)(V):20平均整流器前向电流IO(max)(A):3瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.60@3.0A非重复峰值浪涌电流IFSM

产品型号:MBRD360T4反向重复峰值电压VRRM(max)(V):60平均整流器前向电流IO(max)(A):3瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.60@3.0A非重复峰值浪涌电流IFSM

产品型号:MAC4DCMT4G断态重复峰值电压VDRM(Max)(V):600反向重复峰值电压VRRM(Max)(V):600额定正向平均电流IF(Max)(A):4门极触发电流IGT(Max)(mA

产品型号:MAC4DSNT4G断态重复峰值电压VDRM(Max)(V):800反向重复峰值电压VRRM(Max)(V):800额定正向平均电流IF(Max)(A):4门极触发电流IGT(Max)(mA

产品型号:NTD20N06L源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):39最大漏极电流Id(on)(A):20通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~1

产品型号:NTD24N06L源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):36最大漏极电流Id(on)(A):24通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~1

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