MAC4DSNT4G的技术参数

产品型号:NTHD4P02FT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):155最大漏极电流Id(on)(A):3通道极性:P沟道封装/温度(°C):ChipFET

产品型号:NID9N05CLT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):55源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):181最大漏极电流Id(on)(A):-通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-5

产品型号:NTD20N06LT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):48最大漏极电流Id(on)(A):20通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK 4/

产品型号:NTD20N06T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):46最大漏极电流Id(on)(A):20通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK 4/-

产品型号:NCP5662DS33R4G输出电压典型值(V):3.300输出电流典型值(A):2极性:正压差典型值(V):1.0@2A输入电压最大值(V):9封装/温度(°C):DFN-6/-40~12

产品型号:NCP5662DS15R4G输出电压典型值(V):1.500输出电流典型值(A):2极性:正压差典型值(V):1.0@2A输入电压最大值(V):9封装/温度(°C):DFN-6/-40~12

产品型号:NTB65N02RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):10.500最大漏极电流Id(on)(A):65通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2P

产品型号:MBRB20H100CTT4G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):100平均整流器前向电流IO(max)(A):20瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.77@10A非重复峰值浪

产品型号:NTB25P06T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):82最大漏极电流Id(on)(A):27.500通道极性:P沟道封装/温度(°C):D2PA

产品型号:NTD25P03LT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):72最大漏极电流Id(on)(A):25通道极性:P沟道封装/温度(°C):DPAK 4/