MBRB20H100CTT4G的技术参数

产品型号:MJD148T4G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):45集电极最大电流IC(Max)(A):2直流电流增益hFE最小值(dB):50直流电流增益hFE最大值(dB):-最

产品型号:MJD32CT4G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):100集电极最大电流IC(Max)(A):3直流电流增益hFE最小值(dB):10直流电流增益hFE最大值(dB):-

产品型号:NTD5406NT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):40源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):10最大漏极电流Id(on)(A):70通道极性:N封装/温度(°C):DPAK-4/-55

产品型号:MBRD1035CTLT4G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):35平均整流器前向电流IO(max)(A):10瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.49@10A非重复峰值浪涌电

产品型号:MJD127T4G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):100集电极最大电流IC(Max)(A):8直流电流增益hFE最小值(dB):1000直流电流增益hFE最大值(dB)

产品型号:NTD4809NT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9最大漏极电流Id(on)(A):58通道极性:N封装/温度(°C):DPAK-4/-55~

产品型号:MJD31T4G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):100集电极最大电流IC(Max)(A):3直流电流增益hFE最小值(dB):10直流电流增益hFE最大值(dB):-最

产品型号:NTD4805NT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5最大漏极电流Id(on)(A):88通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~

产品型号:NJD2873T4G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):50集电极最大电流Ic(max)(mA):2000直流电流增益hFE最小值(dB):40直流电流增益hFE最大值(d

产品型号:NGD8201NT4GVCE(on) (V)VGE = 4.0 VIC = 6.0 A:1.350VCE(on) (V)VGE = 4.5 VIC = 10 A:1.600钳位电压VCES