NTD4809NT4G的技术参数

tmdzhucebushang 3 0 PDF 2020-12-13 05:12:57

产品型号:NTD4809NT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9最大漏极电流Id(on)(A):58通道极性:N封装/温度(°C):DPAK-4/-55~175描述:30V,58A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无

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产品型号:NTD12N10源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):130最大漏极电流Id(on)(A):12通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~

产品型号:NTD3055L170源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):170最大漏极电流Id(on)(A):9通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55

产品型号:NTD30N02源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):11.200最大漏极电流Id(on)(A):30通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-5

产品型号:NTD60N03源漏极间雪崩电压VBR(V):28源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):6.100最大漏极电流Id(on)(A):60通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55

产品型号:NTD80N02源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5最大漏极电流Id(on)(A):80通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~150

产品型号:MAC4DCMT4G断态重复峰值电压VDRM(Max)(V):600反向重复峰值电压VRRM(Max)(V):600额定正向平均电流IF(Max)(A):4门极触发电流IGT(Max)(mA

产品型号:MAC4DSNT4G断态重复峰值电压VDRM(Max)(V):800反向重复峰值电压VRRM(Max)(V):800额定正向平均电流IF(Max)(A):4门极触发电流IGT(Max)(mA

产品型号:NTD20N06L源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):39最大漏极电流Id(on)(A):20通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~1

产品型号:NTD24N06L源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):36最大漏极电流Id(on)(A):24通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~1

产品型号:NTD110N02R源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):3.700最大漏极电流Id(on)(A):110通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/

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