纳米晶SiC薄膜中光致发光的衰减过程

通过螺旋波等离子体增强化学气相沉积技术沉积了纳米晶(nc)-SiC膜,并获得了强烈的蓝白色光发射。 显微组织分析表明,3C–SiC颗粒嵌入非晶SiC基体中,nc-SiC的平均尺寸为3.96 nm。 主光致发光(PL)带的光子能量高于块状SiC的带隙,这表明光发射主要发生在3C–SiC纳米晶体的量子态中。 另外,非晶SiC的带尾态也有助于光发射。 通过解卷积处理从时间分辨的PL光谱中获得三个衰减过程,并且衰减分量分别对应于量子约束效应(QCE),nc-SiC颗粒的表面状态和非晶SiC的带尾。 QCE相关衰减过程的分数积分PL强度在较低的PL光子能量下急剧下降,这表明QCE主要有助于短波长光发射。