声子辅助的硅中空位中心的光致发光上转换

为了获得最佳的电阻转换性能,研究了Nb:SrTiO3(NSTO)的氧空位浓度对Ag / NSTO / Ti结构的电阻转换性能的影响。 为了获得具有不同氧空位浓度的NSTO,在将衬底用于制造Ag / N

CMS合作最近对第一代le夸克的搜索显示,在eejj和eνjj通道中,与标准模型预测值相差约2.5σ。 此外,eejj不变质量分布比CMS右手W加重中微子搜索还多了2.8σ。 我们指出,严重的色子衰变

新型双苯并咪唑钳形铂化合物的合成及其光致发光性质研究，王钊，郝新奇，本文合成了一系列含有氯原子、碘原子、芳基炔烃和氮杂芳香化合物(吡啶衍生物和苯甲腈)辅助基团的钳形双苯并咪唑铂化合物。所得铂�

通过对用MOCVD(金属有机物化学气相沉积)方法在Si衬底上生长的GaAs外延薄膜,用不同激发强度下的近红外光致发光研究了液氮温度下峰值能量为1.13 eV和1.04 eV两个带谱的发光特性,表明这两

纳米晶碳化硅(nc-SiC)薄膜已经通过螺旋波等离子体增强化学气相沉积技术在硅(1 0 0)衬底上生长,并且通过改变衬底温度(Ts)将薄膜的光致发光从黄色调至蓝色。 )。 所得的nc-SiC薄膜显示出

晶体硅太阳能电池的场致发光分析

未来高性能处理器中,海量数据的传输是提升处理能力的瓶颈,最为可能的技术途径是基于硅衬底实现电子与光子器件融合的光电集成回路。目前,硅基器件已经能够实现光子的调控、传输和探测,唯有硅光源研究进展缓慢,效

功率MOSFET作为双极晶体管的替代品最早出现于1976年。与那些少数载流子器件相比,这些多数载流子器件速度更快、更坚固,并且具有更高的电流增益。因此开关型电源转换技术得以真正商用化。

目前与互补金属氧化物半导体工艺兼容且具有高发光效率的硅基光源的制作技术尚不成熟,针对这一问题,研究了一种新型多晶硅发光器件。首先研究了该结构在反偏电压下可能存在的各种雪崩模式(带间跃迁、轫致辐射、空穴

声子晶体是什么? 声子晶体是一种人工制造的结构或材料,可对其周期性结构或几何属性进行设计,以此影响机械波的传播特性。设计制造声子晶体时,人们能够在特定的频率范围内隔离振动。特定频率范围内,也称为带