用于大面积制造高性能薄膜晶体管的可溶液处理的高纯度半导体SWCNT
通过分光椭偏测量技术、并采用Drude和Tauc-Lorentz复合模型,研究了铟锡氧(ITO)薄膜在不同基底温度和退火过程中光学介电函数的变化。通过与霍尔效应以及光学带隙测试的数据对比,发现ITO
衬底温度是影响ZnO薄膜特性的重要因素,可以在很大程度上改变薄膜的结晶结构,温度高低直接影响衬底表面吸附原子的表面迁移率,再蒸发和结晶情况.在室温下测量了不同温度生长的ZnO薄膜的X射线衍射(XRD)
裂解温度对硅氧碳纳米镶嵌复合薄膜氧空位的形成及其发光性能的影响,姚荣迁,郑鸿飞,通过先驱体熔融纺膜法纺出连续聚碳硅烷(PCS)原膜,对其进行10h氧化交联及900预烧后,分别在1050℃、1100℃、
(一)晶体管材料与极性的判别 1.从晶体管的型号命名上识别其材料与极性 国产晶体管型号命名的第二部分用英文字母A"D表示晶体管的材料和极性。其中,“A”代表锗材料PNP型管,“B”代表锗材料
学习电子技术的朋友们天天与晶体管打交道,有必要了解下晶体管的历史。
使用溶胶凝胶法制备了铁电薄膜,分别利用原子力显微镜、X 射线衍射及面探扫描技术分析了薄膜的组织结构,并运用掠入射X射线衍射法研究了不同工艺条件下制备的薄膜的残余应力。
通过化学溶液沉积在LaNiO3 / Si(100)衬底上制备Bi2VO5.5铁电薄膜。 研究了在500-700摄氏度下退火的薄膜的铁电和介电性能。 与在较低温度下退火的薄膜相比,在700摄氏度下退火的
采用射频磁控溅射技术,在石英玻璃基板上沉积Li-W共掺杂ZnO(LWZO)薄膜。 研究了在不同衬底温度下沉积的LWZO薄膜的特性。 基板温度低于120°C时C-根据X射线衍射(XRD)模式,薄膜以(0
对不同离子束密度条件下辅助沉积的ZnS薄膜进行了物理及光学特性研究。研究结果表明,在离子束辅助沉积ZnS薄膜时会出现非均匀生长现象, 且非均匀性和折射率会随着离子束密度的增加而增大, 薄膜结晶程度也增
