集成的HgCdTe双色红外探测器阵列被制造出来,并测量了它们的光谱光响应。 顶部中波红外平面光电二极管通过选择性B +注入进行处理,底部短波红外PN同质结光电二极管在MBE生长期间通过铟杂质掺杂原位形
采用非均匀阱宽多量子阱材料拓宽超辐射器件的输出光谱,并利用前期关于倾斜脊形集成超辐射光源的研究成果,制得了新型的1.55 μm高功率宽光谱InGaAsP/InP集成超辐射光源。发现该器件较均匀阱宽多量
采用低压金属有机化学气相外延法(LP-MOVPE)生长并制作了1.3 μm脊型波导结构偏振无关半导体光放大器(SOA),有源区为基于四个压应变量子阱和三个张应变量子阱交替生长的混合应变量子阱(4C3T
表征光电探测器性能参数主要有:量子效率、响应度、频率响应、噪声和探测度等。其中量子效率和响应度表征了光电探测器将入射光转换成光电流本领的大小,频率响应表征了光电探测器工作速度的快慢,噪声和探测度表征了
(1)硅光电池 硅光电池工作时不需外加偏压,其短路光电流与入射光功率成线性关系,开路光电压与入射光功率成对数关系。因此,光电池都以电流源的形式来使用,负载电阻越小,光电池工作越接近于短路状态,线性
探索一种采用多量子阱光折变器件的新型相干空间光通信接收方案, 和传统的差拍方案相比, 可以省掉繁琐的中频跟踪电子学系统, 并对大气光通信传输常见的波面畸变、 偏振面无规律变化及多普勒频移等干扰有所抑制
MBE生长的AlGaN / AlN量子阱结构在260 nm处发出深紫外光
定义了光阱的有效捕获力,然后在几何光学范围内计算了环形光束形成的光阱――空心光阱的有效捕获力,并把空心光阱与实心光阱产生的光阱有效捕获力作了比较。数值计算结果得到空心光阱的有效捕获力大大提高,光阱的稳
对微小力的测量是光镊系统的重要功能。主要研究了进行微小力测量时所需的重要参数――光阱刚度与实验条件的依赖关系。在以He-Ne激光器为光源的光镊系统中,得到了光阱刚度随着阱位距离样品池底面高度的提升而减
1.量子阱结构设计 多量子阱吸收区的设计主要应考虑阱宽、垒宽、阱深和阱的数目的选取。吸收区中所采用的异质结构为 GaAs/Ga1-xAlxAs材料系的多量子阱,组分x取为0.3左右。阱宽的选择首先