显示/光电技术中的SEED列阵研制适合于倒装焊结构的量子阱外延材料

1.量子阱结构设计 多量子阱吸收区的设计主要应考虑阱宽、垒宽、阱深和阱的数目的选取。吸收区中所采用的异质结构为 GaAs/Ga1-xAlxAs材料系的多量子阱,组分x取为0.3左右。阱宽的选择首先应考虑使激子吸收峰处于工作波长附近 。我们所研制的SEED器件工作波长要求在850~860 nm范围,根据理论计算,取阱宽为10 nm,此时重空穴激子吸 收峰在850 nm附近。另一方面,量子阱限制Stark效应所引起的激子吸收峰红移随阱宽的增加而增大,因此适当增 加阱的宽度可以增强QCSE效应。但阱宽也不能太大,对于GaAs材料,当阱宽接近或大于30 nm(三维激子直径)时 ,量子阱材料就接近