采用非均匀阱宽多量子阱材料拓宽超辐射器件的输出光谱,并利用前期关于倾斜脊形集成超辐射光源的研究成果,制得了新型的1.55 μm高功率宽光谱InGaAsP/InP集成超辐射光源。发现该器件较均匀阱宽多量子阱器件的输出光谱有很大变化,光谱半宽由原来的20~30 nm,增加到45~60 nm左右。该器件同样具有较好的抑制激射能力,在可测试范围内,在没有蒸镀腔面抗反射膜的情况下未见激射模式的出现。在准连续工作条件下,器件最大峰值功率已达到150 mW以上。